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http://news.google.com/news?hl=ja&q=SiC+%E5%8D%8A%E5%B0%8E%E4%BD%93%E3%80%80%E3%82%A4%E3%83%B3%E3%83%90%E3%83%BC%E3%82%BF&lr=&um=1&ie=UTF-8&ei=1wkDS6r9PMaDkAXL-dSuAQ&sa=X&oi=news_group&ct=title&resnum=1&ved=0CAsQsQQwAA
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三菱電、電力損失９割低減したＳｉＣインバーター試作
日刊工業新聞 - 2009年11月11日
三菱電機は１１日、炭化ケイ素（ＳｉＣ）半導体を内蔵した新しいインバーターを試作し、シリコン製半導体を内蔵したタイプに比べて電力損失を９割低減できることを実証したと発表した。従来のＳｉＣ半導体による試作インバーターでは電力損失の７割低減を確認していた。 ...
三菱電機「炭化ケイ素でインバーター」 電力損失９０％低減可能に フジサンケイ ビジネスアイ
三菱電機、インバーターで電力損失を大幅に低減する技術を開発 サーチナニュース
SiCインバーターで,世界最高値となる電力損失90%低減を実証 エリスネット (プレスリリース)
レスポンス - ARC Advisory Group 関連記事 11 件 »
三菱電機、SiCインバーターで電力損失90％低減を実証 世界最高値
nikkei BPnet - 2009年11月15日
三菱電機は、次世代のパワー半導体材料、SiCを使ったインバーターで、20kW出力時の電力損失が現在主流のSiを使った場合と比べて約90％の低減が可能であることを実証した。これはSiCインバーターとして電力損失低減の世界最高値になる。 インバーターは直流電力を交流に ...
マイコミジャーナル
【レポート】 三菱、SiCインバータ技術によりSiインバータ比で電力損失を90%低減
マイコミジャーナル - 2009年11月13日
SiCは、Siと比較して絶縁破壊強度が約10倍、禁制帯幅を約3倍と高く、低抵抗、高温動作といった点に優れており、次世代のパワー半導体材料として期待されている。特にSiC-MOSFETの低電力損失と優れたスイッチング性能を生かしたインバータは、機器の電力利用効率を向上 ...
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ＳｉＣ製の大電力モジュール ロームと本田技研が共同開発
http://blogs.yahoo.co.jp/net77777777/54786462.html
関西電力㈱ 丸山幹線 PARTⅡ
http://blogs.yahoo.co.jp/mirian_rinoie/56501688.html
富士通、電源の電力損を大幅に低減可能な窒化ガリウム高電子移動度トランジスタを開発
http://blogs.yahoo.co.jp/nagheuer_evolution/2655123.html
ガンビアの電力事情
http://blogs.yahoo.co.jp/masariho2000/19611488.html
富士通研究所、電源装置向けGaN HEMT開発、電力損失を1/3以下に低減
http://blogs.yahoo.co.jp/suescitech3/28910017.html
2009/11/18(水) 午前 5:50
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